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BB914E6433

更新时间: 2024-11-05 21:03:55
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英飞凌 - INFINEON 光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 52K
描述
Variable Capacitance Diode, 43.75pF C(T), 18V, Silicon, SOT23, 3 PIN

BB914E6433 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:SOT-23包装说明:R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.17其他特性:1.5% MATCHED SETS AVAILABLE
最小击穿电压:18 V配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管电容容差:2.86%最小二极管电容比:2.28
标称二极管电容:43.75 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:2端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:18 V
子类别:Varactors表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

BB914E6433 数据手册

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BB914...  
Silicon Variable Capacitance Diode  
For FM radio tuner with extended  
frequency band  
High tuning ratio at low supply voltage (car radio)  
Monolitic chip (common cathode)  
for perfect dual diode tracking  
Good linearity for C- V curve  
High figure of merit  
BB914  
3
D
2
D
1
1
2
Type  
Package  
Configuration  
L (nH) Marking  
S
BB914  
SOT23  
common cathode  
1.8  
SM  
Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
18  
20  
V
Diode reverse voltage  
Peak reverse voltage  
( R 5k)  
V
V
R
RM  
50  
mA  
°C  
Forward current  
I
F
Operating temperature range  
Storage temperature  
T
-55 ... 125  
-55 ... 150  
op  
T
stg  
2005-10-19  
1

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