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BB901T/R

更新时间: 2024-11-24 19:50:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 29K
描述
DIODE VHF BAND, 1.055 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Variable Capacitance Diode

BB901T/R 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.76最小击穿电压:30 V
配置:SINGLE最小二极管电容比:12
标称二极管电容:1.055 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE频带:VERY HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:85 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:30 V最大反向电流:1e-8 µA
反向测试电压:28 V子类别:Varactors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

BB901T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
lfpage  
BB901  
VHF variable capacitance diode  
1996 May 03  
Product specification  
Supersedes data of November 1993  

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