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BB909A133

更新时间: 2024-11-24 14:47:59
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恩智浦 - NXP 测试二极管
页数 文件大小 规格书
2页 66K
描述
DIODE VHF BAND, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-34, Variable Capacitance Diode

BB909A133 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.83
其他特性:2.5% MATCHED SETS AVAILABLE最小击穿电压:30 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
最小二极管电容比:12二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE频带:VERY HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码:DO-34JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:100 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大反向电流:0.01 µA反向测试电压:28 V
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

BB909A133 数据手册

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