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BAY80T26R

更新时间: 2024-01-21 17:00:05
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 21K
描述
120V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

BAY80T26R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.7外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:120 V最大反向恢复时间:0.06 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

BAY80T26R 数据手册

  

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