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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 120 V | 最大反向恢复时间： | 0.06 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAY80_08 | VISHAY |
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Small Signal Switching Diode, High Voltage |
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| BAY80_12 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Switching Diode, High Voltage |
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| BAY80113 | NXP |
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DIODE 0.25 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
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| BAY80116 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.25 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
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| BAY80133 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.25 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
|
| BAY80136 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.25 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
|
| BAY80143 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.25 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
|
| BAY80153 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.25 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
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| BAY80R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon, |
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| BAY80T26A | TI |
获取价格 |
120V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
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