是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.58 |
配置: | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
最大输出电流: | 0.15 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 最大重复峰值反向电压: | 100 V |
最大反向恢复时间: | 0.004 µs | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAW56W-T | NXP |
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0.15A, 90V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC, SMD, SC-70, 3 PIN | |
BAW56WT/R | NXP |
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0.15A, 90V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC, SMD, SC-70, 3 PIN | |
BAW56WT_11 | MCC |
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200mW Switching Diode | |
BAW56WT1 | MOTOROLA |
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Dual Switching Diode | |
BAW56WT1 | ONSEMI |
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Dual Switching Diode | |
BAW56WT1 | LRC |
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Dual Switching Diodes | |
BAW56W-T1 | WTE |
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SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE | |
BAW56WT1/D | ETC |
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Dual Switching Diode | |
BAW56WT1G | ONSEMI |
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Dual Switching Diode, Common Anode | |
BAW56W-T1-LF | WTE |
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Rectifier Diode, 2 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |