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BAW56WE6433

更新时间: 2024-02-19 20:11:44
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英飞凌 - INFINEON 光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 151K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon,

BAW56WE6433 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.46
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.25 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G3最大非重复峰值正向电流:4.5 A
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified最大反向电流:2.5 µA
最大反向恢复时间:0.006 µs表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

BAW56WE6433 数据手册

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BAW56...  
Silicon Switching Diode  
For high-speed switching applications  
Common anode configuration  
BAW56S / U: For orientation in reel see  
package information below  
1)  
Pb-free (RoHS compliant) package  
Qualified according AEC Q101  
BAW56  
BAW56W  
BAW56S  
BAW56U  
6
5
4
3
D
4
D
3
D
2
D
1
D
1
D
2
1
2
3
1
2
Type  
Package  
SOT23  
SOT363  
SC74  
Configuration  
Marking  
A1s  
BAW56  
common anode  
BAW56S  
BAW56U  
BAW56W  
double common anode  
double common anode  
common anode  
A1s  
A1s  
SOT323  
A1s  
1
Pb-containing package may be available upon special request  
2007-09-19  
1

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