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BAW56WG

更新时间： 2024-01-02 11:05:09

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智威 - ZOWIE		二极管开关
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3页	65K
描述
Silicon Switching Diode Array Lead free product

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BAW56WG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.58	配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.075 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.2 W	最大重复峰值反向电压：	75 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BAW56WG 数据手册

Zowie Technology Corporation

Silicon Switching Diode Array

Lead free product

CATHODE

ANODE

BAW56WG

CATHODE

SOT-323

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Reverse Voltage

Forward Current

200

4.5

mAdc

Adc

Forward Surge Current, t=1us

IFM(surge)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Max.

250

150

Symbol

Ptot

Unit

^oC

Total Power Dissipation, Ts=103 C

Junction Temperature

Storage Temperature

TSTG

-65 to +150

^oC

(1)

Junction Soldering Point

≦190

K / W

(1) For calculation of

R JS Please refer to Application Thermal Resistance.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

Characteristic

=25^oC unless otherwise noted) (EACH DIODE)

Max.

Symbol

Min.

Unit

Vdc

OFF CHARACTERISTICS

Reverse Breakdown Voltage

( I(BR) = 100uAdc )

V(BR)

Reverse Voltage Leakage Current

( VR=25Vdc, TJ=150^oC )

( VR=70Vdc )

2.5

uAdc

( VR=70Vdc, TJ=150^oC )

Diode Capacitance

( VR=0, f = 1.0 MHZ )

2.0

Forward Voltage

( IF = 1.0 mAdc )

( IF = 10 mAdc )

( IF = 50 mAdc )

( IF = 150 mAdc )

715

855

1000

1250

trr

mVdc

Reverse Recovery Time

( IF = IR = 10 mAdc, IR(REC) = 1.0 mAdc ) ( Figure 1 ) RL = 100

6.0

REV. 0

Zowie Technology Corporation

12 3

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