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BAV170T/R

更新时间: 2024-09-24 03:14:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 122K
描述
DIODE 0.215 A, 85 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode

BAV170T/R 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT-23包装说明:PLASTIC PACKAGE-3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.43配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.215 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:85 V
最大反向恢复时间:3 µs表面贴装:YES
端子面层:TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40

BAV170T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
ook, halfpage  
BAV170  
Low-leakage double diode  
Product data sheet  
2003 Mar 25  
Supersedes data of 1999 May 11  

BAV170T/R 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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完全替代

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