BAV18

更新时间： 2024-09-24 22:48:11

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威世 - VISHAY		整流二极管
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4页	47K
描述
Silicon Epitaxial Planar Diodes

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BAV18 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.5
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-609代码：	e2	元件数量：	1
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	0.25 A
最大重复峰值反向电压：	60 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver (Sn96.5Ag3.5)	Base Number Matches：	1

BAV18 数据手册

BAV17...BAV21

Vishay Telefunken

Silicon Epitaxial Planar Diodes

Applications

General purposes

94 9367

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Peak reverse voltage

Test Conditions

Type

Symbol

Value

120

200

250

Unit

BAV17

BAV18

BAV19

BAV20

BAV21

BAV17

BAV18

BAV19

BAV20

BAV21

RRM

Reverse voltage

100

150

200

250

Forward current

Peak forward surge current

Forward peak current

Junction temperature

Storage temperature range

t =1s, T =25 C

FSM

f=50Hz

625

175

–65...+175

stg

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction ambient

Test Conditions

l=4mm, T =constant

Symbol

thJA

Value

350

Unit

K/W

Document Number 85543

Rev. 2, 01-Apr-99

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAV18_07	DIOTEC	获取价格	Superfast Switching Si-Planar Diodes
BAV18_11	DIOTEC	获取价格	Superfast Switching Si-Planar Diodes
BAV18113	NXP	获取价格	DIODE 0.25 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode
BAV18116	NXP	获取价格	DIODE 0.25 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode
BAV18-13	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon
BAV18133	NXP	获取价格	DIODE 0.25 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode
BAV18136	NXP	获取价格	DIODE 0.25 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode
BAV18143	NXP	获取价格	DIODE 0.25 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode
BAV18153	NXP	获取价格	DIODE 0.25 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode
BAV18-A	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon