是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
包装说明: | R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.55 | 配置: | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 最大输出电流: | 0.2 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散: | 0.2 W | 最大重复峰值反向电压: | 30 V |
最大反向恢复时间: | 0.005 µs | 表面贴装: | YES |
技术: | SCHOTTKY | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAT54CWT/R | NXP |
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0.2A, 30V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC PACKAGE-3 | |
BAT54CWT1 | ONSEMI |
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Dual Series Schottky Barrier Diodes | |
BAT54CW-T1 | WTE |
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SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE | |
BAT54CWT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Series Schottky Barrier Diodes | |
BAT54CWT1G | FAIRCHILD |
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Schottky Diodes | |
BAT54CW-T3 | WTE |
获取价格 |
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE | |
BAT54CWTF2 | YANGJIE |
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Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, | |
BAT54CWTHE3 | MCC |
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Tape : 3K/Reel, 120K/Ctn; | |
BAT54CWTHQ | YANGJIE |
获取价格 |
SOT-323 | |
BAT54CWTP | MCC |
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DIODE 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC PACKAGE-3, Signal Diode |