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BAT54CWT/R

更新时间: 2024-11-28 20:06:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 31K
描述
0.2A, 30V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, PLASTIC PACKAGE-3

BAT54CWT/R 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:PLASTIC PACKAGE-3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.11配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.8 VJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3最大非重复峰值正向电流:0.6 A
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.2 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:30 V
最大反向电流:2 µA最大反向恢复时间:0.005 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

BAT54CWT/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
ook, halfpage  
BAT54W series  
Schottky barrier (double) diodes  
1996 Mar 19  
Product specification  
Supersedes data of October 1993  

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