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BAT54CWT1G PDF预览

BAT54CWT1G

更新时间： 2024-09-20 21:53:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 肖特基二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 91K
描述
Schottky Diodes

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BAT54CWT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SC-70
包装说明：R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：7.27
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.24 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：0.6 A
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.232 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向恢复时间：0.005 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BAT54CWT1G 数据手册

 浏览型号BAT54CWT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BAT54CWT1G的Datasheet PDF文件第3页 
April 2005  
BAT54SWT1G/BAT54CWT1G  
Schottky Diodes  
Connection Diagram  
BAT54SWT1G  
BAT54CWT1G  
3
3
3
1
2
2
1
2
1
MARKING  
BAT54SWT1G = YB  
BAT54CWT1G = YC  
SOT-323  
Absolute Maximum Ratings *  
T
= 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
RRM  
F(AV)  
FSM  
Parameter  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Average Rectified Forward Current  
Value  
30  
Unit  
V
V
I
I
200  
mA  
mA  
Non-repetitive Peak Forward Surge Current  
Pulse Width = 1.0 second  
600  
T
T
Storage Temperature Range  
-65 to +125  
-65 to +125  
°C  
°C  
STG  
J
Operating Junction Temperature  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
D
Parameter  
Value  
232  
Unit  
mW  
P
Power Dissipation  
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
430  
°C/W  
θJA  
FR-4 board (3.0 × 4.5 × 0.062” by 1.0 × 0.5” land pads)  
Electrical Characteristics  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
R
Parameter  
Conditions  
Min.  
30  
Max.  
Units  
V
V
Breakdown Voltage  
I
= 10µA  
V
R
Forward Voltage  
I
I
I
I
I
= 0.1mA  
= 1mA  
= 10mA  
= 30mA  
= 100mA  
240  
320  
400  
500  
0.8  
mV  
mV  
mV  
mV  
V
F
F
F
F
F
F
I
Reverse Leakage  
V
V
= 25V  
2
µA  
pF  
ns  
R
R
R
C
Total Capacitance  
= 1V, f = 1.0MHz  
10  
5.0  
T
t
Reverse Recovery Time  
I = I = 10mA, I = 1.0mA,  
rr  
F R RR  
R = 100Ω  
L
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
BAT54SWT1G/BAT54CWT1G Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
123

中文翻译

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BAT54CWT1G 替代型号

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