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BAT54CDW-7-F

更新时间: 2024-11-01 04:50:27
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美台 - DIODES 整流二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 131K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAYS

BAT54CDW-7-F 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SOT-363, 6 PIN
针数:6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
Factory Lead Time:16 weeks风险等级:1.09
Is Samacsys:N应用:GENERAL PURPOSE
最小击穿电压:30 V配置:2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:0.6 A元件数量:4
相数:1端子数量:6
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.2 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:30 V最大反向电流:2 µA
最大反向恢复时间:0.005 µs反向测试电压:25 V
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

BAT54CDW-7-F 数据手册

  
BAT54TW/ADW/CDW/SDW/BRW  
SCHOTTKY DIODE  
SOT-363  
FEATURES  
Power dissipation  
PD:  
200 mW (Tamb=25)  
Forward Current  
IF:  
Reverse Voltage  
VR:  
200 m A  
30  
V
Operating and storage junction temperature range  
TJ, Tstg: -55to +150℃  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
V(BR)  
IR  
Test conditions  
IR= 100µA  
MIN  
MAX  
UNIT  
V
30  
Reverse breakdown voltage  
Reverse voltage leakage current  
VR=25V  
2
µA  
IF=0.1mA  
IF=1mA  
240  
320  
400  
500  
1000  
VF  
mV  
Forward voltage  
IF=10mA  
IF=30mA  
IF=100mA  
CD  
t r r  
VR=1V, f=1MHz  
10  
5
Diode capacitance  
Reverse recovery time  
pF  
nS  
IF =10mA through IR=10mA  
to IR=1.0mA RC=100  

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