BAS70-T1

更新时间： 2024-02-08 02:38:17

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恩智浦 - NXP		整流二极管肖特基二极管光电二极管
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描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

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BAS70-T1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-CXMW-G2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.39
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE
最大二极管电容：	2 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	O-CXMW-G2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	0.085 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.07 A	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	MICROWAVE
最大功率耗散：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	70 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	UNSPECIFIED	Base Number Matches：	1

BAS70-T1 数据手册

BL Galaxy Electrical

Production specification

Surface mount schottky barrier diode

BAS70/-04/-05/-06

FEATURES

Low turn-on voltage.

Fast switching.

Lead-free

PN Junction guard ring for transient and

ESD protection.

BAS70

BAS70-04

Ultra-small surface mount package.

Also available in lead free version.

BAS70-05

BAS70-06

APPLICATIONS

High speed switching applications.

Circuit protecting.

SOT-23

Voltage clamping.

ORDERING INFORMATION

Type No.

Marking

Package Code

BAS70

SOT-23

BAS70-04

BAS70-05

BAS70-06

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Characteristic

Symbol

V_RRM

V_RWM

V_R

Limits

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Reverse Voltage

RMS Reverse voltage

V_R(RMS)

I_F

Forward Continuous Current

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

I_FSM

100

@t_p<1.0s

Power Dissipation

P_d

200

℃/W

℃

Thermal Resistance, Junction to Ambient Air

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

R_θjA

T_j

625

-55 to +125

-65 to +150

T_STG

℃

Document number: BL/SSSKC030

Rev.A

www.galaxycn.com

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