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BAS70T-7-F

更新时间： 2024-01-24 23:21:47
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管肖特基二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 355K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

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BAS70T-7-F 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：15 weeks风险等级：0.83
Is Samacsys：N其他特性：FAST SWITCHING
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.41 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：0.1 A
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.07 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.15 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：70 V
最大反向恢复时间：0.005 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

BAS70T-7-F 数据手册

 浏览型号BAS70T-7-F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BAS70T-7-F的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODELS: BAS70T BAS70-04T BAS70-05T BAS70-06T  
BAS70T/ -04T/ -05T/ -06T  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE  
Lead-free  
Features  
·
·
·
Low Turn-on Voltage  
SOT-523  
Fast Switching  
Dim Min Max Typ  
A
PN Junction Guard Ring for Transient and  
ESD Protection  
A
B
C
D
G
H
J
0.15 0.30 0.22  
0.75 0.85 0.80  
1.45 1.75 1.60  
·
·
Ultra-Small Surface Mount Package  
C
B
Lead Free/RoHS Compliant (Note 3)  
¾
¾
0.50  
Mechanical Data  
G
H
0.90 1.10 1.00  
1.50 1.70 1.60  
0.00 0.10 0.05  
0.60 0.80 0.75  
0.10 0.30 0.22  
0.10 0.20 0.12  
0.45 0.65 0.50  
·
Case: SOT-523  
·
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
K
M
N
·
·
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
K
L
Terminals: Finish - Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
J
L
D
M
N
a
·
Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over  
Alloy 42 leadframe).  
0°  
8°  
¾
·
·
·
·
Polarity: See Diagrams Below  
All Dimensions in mm  
Marking: See Diagrams Below & Page 2  
Ordering Information, See Page 2  
Weight: 0.002 grams (approximate)  
BAS70-06T Marking: 7F  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
BAS70-04T Marking: 7D  
BAS70-05T Marking: 7E  
BAS70T Marking: 7C  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
70  
V
VR(RMS)  
IFM  
RMS Reverse Voltage  
49  
70  
V
mA  
mA  
mW  
°C/W  
°C  
Forward Continuous Current (Note 1)  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ tp < 1.0s  
Power Dissipation (Note 1)  
IFSM  
Pd  
100  
150  
R
qJA  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating Temperature Range  
833  
Tj  
-55 to +125  
-65 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Ratings  
Characteristic  
Symbol  
V(BR)R  
Min  
Max  
Unit  
Test Condition  
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)  
IR = 10mA  
70  
—
—
tp <300µs, IF = 1.0mA  
tp <300µs, IF = 15mA  
410  
1000  
VF  
Forward Voltage  
—
mV  
IR  
tp < 300µs, VR = 50V  
VR = 0V, f = 1.0MHz  
Leakage Current (Note 2)  
Total Capacitance  
¾
¾
100  
2.0  
nA  
pF  
CT  
IF = IR = 10mA to IR = 1.0mA,  
Irr = 0.1 x IR, RL = 100W  
trr  
Reverse Recovery Time  
—
5.0  
ns  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
3. No purposefully added lead.  
DS30261 Rev. 9 - 2  
1 of 3  
BAS70T/ -04T/ -05T/ -06T  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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