BAS70TAPT

更新时间： 2024-01-21 08:50:51

品牌	Logo	应用领域
力勤 - CHENMKO		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
2页	168K
描述
SCHOTTKY DIODE VOLTAGE 70 Volts CURRENT 70 mAmperes

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BAS70TAPT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC, SMD, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.53
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.41 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	1 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.07 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	225	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	70 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BAS70TAPT 数据手册

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD

BAS70TAPT

SURFACE MOUNT

SCHOTTKY DIODE

VOLTAGE 70 Volts CURRENT 70 mAmperes

APPLICATION

* Ultra high speed switching

FEATURE

* Small surface mounting type. (SC-75/SOT-416

* High speed. (TRR=2.5nSec Typ.)

SC-75/SOT-416

* Suitable for high packing density.

* Maximum total power disspation is 150mW.

* Peak forward surge current is 100mA.

0.1

0.2±

0.05

CONSTRUCTION

0.5

1.6±0.2

1.0±0.1

0.3±

0.5

* PN junction guard ring protection

0.1

0.05

0.1

0.2±

0.05

WEIGHT

0.8±0.1

* 0.002 grams ( Approx.)

MARKING

* TX

0.6~0.9

0~0.1

0.15±0.05

0.1Min.

1.6±0.2

(2)

(1)

CIRCUIT

SC-75/SOT-416

Dimensions in millimeters

(3)

BAS70TAPT

RATINGS

SYMBOL

VRRM

VRMS

VDC

UNITS

Volts

mAmps

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Rectified Current

Peak Forward Surge Current at 1Sec.

IFSM

100

2.0

5.0

Typical Junction Capacitance between Terminal (Note 1)

Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)

Maximum Operating Temperature Range

TRR

nSec

^oC

-55 to +125

-65 to +150

^oC

Storage Temperature Range

TSTG

ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( At TA = 25^oC unless otherwise noted )

BAS70TAPT

CHARACTERISTICS

Maximum Instantaneous Forward Voltage

Maximum Average Reverse Current at VR= 50V

SYMBOL

UNITS

mVolts

@IF= 1.0mA

@IF= 15mA

410

1000

100

nAmps

2003-09

NOTES : 1. Measured at 1.0 MHZ and applied reverse voltage of 0.0 volts.

2. Measured at applied froward current of 10mA and reverse current of 10mA.

3. ESD sensitive product handling required.

中文翻译

下载PDF

与BAS70TAPT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAS70TCPT	CHENMKO	获取价格	SCHOTTKY DIODE VOLTAGE 70 Volts CURRENT 70 mAmperes
BAS70-TP	MCC	获取价格	Surface Mount Schottky Barrier Diode 200 mWatt
BAS70TPT	CHENMKO	获取价格	SCHOTTKY DIODE VOLTAGE 70 Volts CURRENT 70 mAmperes
BAS70TS	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES
BAS70TSGP	CHENMKO	获取价格	Rectifier Diode,
BAS70TSPT	CHENMKO	获取价格	SCHOTTKY DIODE VOLTAGE 70 Volts CURRENT 70 mAmperes
BAS70T-TP	MCC	获取价格	暂无描述
BAS70T-TP-HF	MCC	获取价格	Rectifier Diode,
BAS70TV	RECTRON	获取价格	Reverse Voltage Vr : 70 V;Forward Current Io : 0.2 A;Max Surge Current : 600 mA;Forward Vo
BAS70TW	MCC	获取价格	200mW SCHOTTKY BARRIER Diode

与BAS70TAPT相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

8
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

8
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

10
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

11

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BAS70TAPT

BAS70TAPT 技术参数

BAS70TAPT 数据手册

与BAS70TAPT相关器件

与BAS70TAPT相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BAS70TAPT

BAS70TAPT 技术参数

BAS70TAPT 数据手册

与BAS70TAPT相关器件

与BAS70TAPT相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？