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BAS70-T1-LF PDF预览

BAS70-T1-LF

更新时间： 2024-01-13 18:15:11
品牌 Logo 应用领域
WTE 光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 74K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 70V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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BAS70-T1-LF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.1
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G3
湿度敏感等级：2元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.2 W最大重复峰值反向电压：70 V
最大反向恢复时间：0.005 µs表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BAS70-T1-LF 数据手册

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WTE  
POWER SEMICONDUCTORS  
BAS70 / A / C / S  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE  
Features  
ꢀ
Low Turn-on Voltage  
L
ꢀ
ꢀ
Fast Switching  
PN Junction Guard Ring for Transient and  
ESD Protection  
A
ꢀ
ꢀ
Designed for Surface Mount Application  
Plastic Material – UL Recognition Flammability  
Classification 94V-O  
B
C
M
E
D
SOT-23  
Min  
H
G
Dim  
A
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.05  
0.61  
2.05  
3.05  
0.15  
1.10  
0.61  
0.178  
0.37  
1.19  
2.10  
0.89  
0.45  
1.78  
2.65  
0.013  
0.89  
0.45  
0.076  
Mechanical Data  
B
ꢀ
Case: SOT-23, Molded Plastic  
K
C
D
ꢀ
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
J
E
G
H
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Polarity: See Diagrams Below  
Weight: 0.008 grams (approx.)  
Marking: Device Code, See Page 4  
Mounting Position: Any  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 5  
J
K
L
M
All Dimensions in mm  
TOP VIEW  
TOP VIEW  
TOP VIEW  
TOP VIEW  
BAS70  
BAS70A  
BAS70C  
BAS70S  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @TA=25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
70  
V
Forward Continuous Current (Note 1)  
Forward Surge Current (Note 1)  
Power Dissipation (Note 1)  
IF  
IFSM  
200  
600  
mA  
mA  
@ t < 1.0s  
Pd  
200  
mW  
°C/W  
°C  
Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
RθJA  
Tj, TSTG  
625  
-55 to +125  
Note: 1. Device on fiberglass substrate.  
BAS70 / A / C / S  
1 of 5  
© 2006 Won-Top Electronics  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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