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BAS45AL

更新时间： 2023-09-03 20:32:08

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安世 - NEXPERIA		二极管
页数	文件大小	规格书
11页	779K
描述
Low-leakage diodeProduction

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BAS45AL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-LELF-R2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.35	其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最大输出电流：	0.25 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.4 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	125 V
最大反向恢复时间：	1.5 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	处于峰值回流温度下的最长时间：	30

BAS45AL 数据手册

BAS45AL

Low-leakage diode

Rev. 5 — 6 August 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Epitaxial medium-speed switching diode with a low leakage current, encapsulated in a

small hermetically sealed glass SOD80C Surface-Mounted Device (SMD) package.

1.2 Features and benefits

Continuous reverse voltage: max. 125 V

Repetitive peak forward current: max. 625 mA

Low reverse current: max. 1 nA

Switching time: typ. 1.5 μs

1.3 Applications

Low leakage current applications

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

I_F

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

250

Unit

[1]

forward current

reverse voltage

forward voltage

V_R

125

V_F

I_F= 100 mA

1000

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard

footprint.

2. Pinning information

Table 2.

Pinning

Description

cathode

Simplified outline

Graphic symbol

[1]

anode

006aab040

[1] The marking band indicates the cathode.

12 3 4 5 6 7...11

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与BAS45AL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAS45AL,115	ETC	获取价格	DIODE GEN PURP 125V 250MA LLDS
BAS45AL,135	NXP	获取价格	DIODE 0.25 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode
BAS45AL112	NXP	获取价格	DIODE 0.25 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
BAS45AL135	NXP	获取价格	DIODE 0.25 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
BAS45ALT/R	NXP	获取价格	DIODE 0.25 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode
BAS45AT/R	NXP	获取价格	DIODE 0.25 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signa
BAS45L	NXP	获取价格	0.225A, SILICON, SIGNAL DIODE
BAS46	ETC	获取价格	DIODE DETEKTOR UHF
BAS48	WINNERJOIN	获取价格	Schottky Barrier Diode
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