是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | O-LELF-R2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
风险等级: | 5.35 | 其他特性: | LOW LEAKAGE CURRENT |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | O-LELF-R2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最大输出电流: | 0.25 A | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 最大功率耗散: | 0.4 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 125 V |
最大反向恢复时间: | 1.5 µs | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | WRAP AROUND |
端子位置: | END | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAS45AL,115 | ETC |
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DIODE GEN PURP 125V 250MA LLDS | |
BAS45AL,135 | NXP |
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DIODE 0.25 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode | |
BAS45AL112 | NXP |
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DIODE 0.25 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode | |
BAS45AL135 | NXP |
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DIODE 0.25 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode | |
BAS45ALT/R | NXP |
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DIODE 0.25 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode | |
BAS45AT/R | NXP |
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DIODE 0.25 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signa | |
BAS45L | NXP |
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0.225A, SILICON, SIGNAL DIODE | |
BAS46 | ETC |
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DIODE DETEKTOR UHF | |
BAS48 | WINNERJOIN |
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Schottky Barrier Diode | |
BAS48 | MCC |
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350mA Schottky Barrier Rectifier 40 Volts |