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BAS45AL112

更新时间: 2024-09-24 15:30:51
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恩智浦 - NXP 二极管
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4页 97K
描述
DIODE 0.25 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

BAS45AL112 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.18
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流:4 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最大输出电流:0.25 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:125 V最大反向电流:0.001 µA
最大反向恢复时间:1.5 µs表面贴装:YES
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
Base Number Matches:1

BAS45AL112 数据手册

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