BAS16X

更新时间： 2024-01-15 22:02:21

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鲁光 - LGE		小信号开关二极管
页数	文件大小	规格书
2页	278K
描述
High Speed Switching Diodes

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BAS16X 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.3	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.15 W	最大反向恢复时间：	0.006 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BAS16X 数据手册

BAS16X

High Speed Switching Diodes

SOD-523

Features

Small package.

High speed switching.

Applications

High speed switching application.

Dimensions in inches and (millimeters)

Ordering Information

Type No.

Marking

Package Code

SOD-523

BAS16X

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Limits

Unit

DC Reverse voltage

V_R

Continuous forward current

Peak forward surge current

Total power dissipation

I_F

200

℃/W

℃

I_FM

500

P_tot

R_θJA

T_j

150

Total resistance junction to ambient

Junction temperature

635

150

Storage temperature

T_stg

-55-150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol Min.

Typ. Max. Unit

Conditions

Reverse breakdown voltage V_(BR)R

I_R=100μA

0.715

I_F=1mA

0.815

I_F=10mA

I_F=50mA

I_F=150mA

Forward voltage

V_F

1.25

μA

Reverse current

I_R

1.0

2.0

V_R=75V

Diode capacitance

Reverse recovery time

C_d

t_rr

V_R=0V,f=1MHz

I_F=I_R=10mA,R_L=50Ω

http://www.luguang.cn

mail:lge@luguang.cn

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