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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-236 | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 6.72 | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | STABISTOR DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.96 V | 正向电压最小值（VF）： | 0.87 V |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 最大功率耗散： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 反向测试电压： | 4 V |
| 子类别： | Stabistor Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BAS17 | NEXPERIA |
功能相似  |
Low-voltage stabistorProduction |
|
| BAS17TRL13 | NXP |
功能相似 |
DIODE SILICON, STABISTOR DIODE, Stabistor Diode |
|
| BAS17 | NXP |
功能相似 |
Low-voltage stabistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAS170 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Schottky Diode (General-purpose diodes for high-speed switching Circuit protection |
|
| BAS170H | SUNMATE |
获取价格 |
Patch Schottky diode 70V SOD-323 series |
|
| BAS170W | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Schottky Diode (General-purpose diodes for high-speed switching Circuit protection |
|
| BAS170W_07 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Schottky Diode |
|
| BAS170WE6327 | INFINEON |
获取价格 |
Mixer Diode, Silicon, |
|
| BAS170WE6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Mixer Diode, Silicon, |
|
| BAS170WE6433 | INFINEON |
获取价格 |
Mixer Diode, Silicon, |
|
| BAS170WS | KEXIN |
获取价格 |
Schottky Diodes |
|
| BAS170WS | TYSEMI |
获取价格 |
Schottky diode for high-speed switching High-level detecting and mixing |
|
| BAS170WS | VISHAY |
获取价格 |
Schottky Diodes |
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