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BAS16WS-HE3-18

更新时间: 2024-02-22 02:11:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 89K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2

BAS16WS-HE3-18 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
Factory Lead Time:10 weeks风险等级:5.55
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:0.25 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.2 W
参考标准:AEC-Q101最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向恢复时间:0.006 µs表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

BAS16WS-HE3-18 数据手册

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BAS16WS  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
104  
5
2
103  
5
2
102  
5
2
10  
5
VR = 20 V  
2
1
0
100  
Tj (°C)  
200  
17441  
Fig. 5 - Leakage Current vs. Junction Temperature  
PACKAGE DIMENSIONS in millimeters (inches): SOD-323  
0.40 [0.016]  
0.25 [0.010]  
1.95 [0.077]  
1.60 [0.063]  
Cathode bar  
2.85 [0.112]  
2.50 [0.098]  
Footprint recommendation:  
0.8 [0.031]  
0.8 [0.031]  
1.6 [0.063]  
Document no.: S8-V-3910.02-001 (4)  
Created - Date: 24.August.2004  
Rev. 6 - Date: 23.Sept.2016  
17443  
Rev. 2.1, 12-Jul-17  
Document Number: 85752  
3
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
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