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BAS16WS-HE3-18

更新时间： 2024-02-04 00:06:05

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威世 - VISHAY		光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	89K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2

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BAS16WS-HE3-18 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
Factory Lead Time：	10 weeks	风险等级：	5.55
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.25 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.2 W
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.006 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

BAS16WS-HE3-18 数据手册

BAS16WS

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

PARAMETER

TEST CONDITION

I_F= 150 mA

I_F= 1 mA

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

1.250

0.715

0.855

UNIT

V_F

I_R

Forward voltage

I_F= 10 mA

I_F= 50 mA

_R= 75 V

1000

μA

Leakage current

_R= 25 V, T_J= 150 °C

_R= 75 V, T_J= 150 °C

I_R

Diode capacitance

_R= 0, f = 1 MHz

I_F= 10 mA, I_R= 10 mA,

_R= 1 mA, R_L= 100 Ω

C_D

Reverse recovery time

t_rr

TYPICAL CHARACTERISTICS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

10³

500

400

300

10²

T_j= 100 °C

T_j= 25 °C

200

100

10^{- 1}

10^{- 2}

100

200

18185

T_amb(°C)

18105

V_F(V)

Fig. 1 - Forward Characteristics

Fig. 3 - Admissible Power Dissipation vs. Ambient Temperature

10⁴

T_j= 25 °C

f = 1 MHz

T_j= 25 °C

f = 1 kHz

1.1

10³

1.0

0.9

0.8

0.7

10²

10^-2

10^-1

10²

V_R(V)

17440

17438

I_F(mA)

Fig. 2 - Dynamic Forward Resistance vs. Forward Current

Fig. 4 - Relative Capacitance vs. Reverse Voltage

Rev. 2.1, 12-Jul-17

Document Number: 85752

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