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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 1 | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.715 V | JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 最大反向电流： | 50 µA | 最大反向恢复时间： | 0.006 µs |
| 反向测试电压： | 75 V | 子类别： | Other Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BAS16DXV6T5G | ONSEMI |
类似代替  |
Dual Switching Diode |
|
| BAS16DXV6T5 | ONSEMI |
类似代替 |
Dual Switching Diode |
|
| BAS16DXV6T1 | ONSEMI |
类似代替 |
Dual Switching Diode |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAS16DXV6T5 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Switching Diode |
|
| BAS16DXV6T5G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Switching Diode |
|
| BAS16DY | NEXPERIA |
获取价格 |
High-speed dual switching diodeProduction |
|
| BAS16DY-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
High-speed dual switching diodeProduction |
|
| BAS16-E3-08 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
|
| BAS16-E3-18 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
|
| BAS16E6327 | INFINEON |
获取价格 |
For high-speed switching applications |
|
| BAS16E6327 | ROCHESTER |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
|
| BAS16E6327-BOX | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 80V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN |
|
| BAS16E6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 80V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN |
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