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BAR19-AR1

更新时间: 2024-11-15 20:54:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 55K
描述
SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, DO-35

BAR19-AR1 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.79
最小击穿电压:4 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE最大二极管电容:1 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:MIXER DIODE
最大正向电压 (VF):0.6 V频带:ULTRA HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最大输出电流:30 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大反向电流:0.25 µA表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

BAR19-AR1 数据手册

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