BAQ135

更新时间： 2024-11-13 22:27:19

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威世 - VISHAY		整流二极管
页数	文件大小	规格书
3页	54K
描述
Silicon Planar Diodes

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BAQ135 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.54	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	最大非重复峰值正向电流：	2 A
元件数量：	1	最高工作温度：	200 °C
最大输出电流：	0.2 A	最大重复峰值反向电压：	125 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

BAQ135 数据手册

BAQ133...BAQ135

Vishay Telefunken

Silicon Planar Diodes

Features

Very low reverse current

Applications

Protection circuits, time delay circuits, peak follower

circuits, logarithmic amplifiers

96 12009

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Reverse voltage

Test Conditions

Type

Symbol

Value

Unit

BAQ133

BAQ134

BAQ135

125

Peak forward surge current

Forward current

Junction temperature

Storage temperature range

t =1 s

200

FSM

–65...+200

stg

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction ambient

Test Conditions

on PC board 50mmx50mmx1.6mm

Symbol

Value

500

Unit

K/W

thJA

Electrical Characteristics

T = 25 C

Parameter

Test Conditions

Type

Symbol Min

Typ Max Unit

Forward voltage

Reverse current

I =100mA

0.5

300lx, V

300lx, V , T =125 C

300lx, V =15V

300lx, V =30V

300lx, V =60V

BAQ133

BAQ134

BAQ135

BAQ133

BAQ134

BAQ135

0.5

Breakdown voltage I =5 A, t /T=0.01, t =0.3ms

(BR)

140

Diode capacitance

V =0, f=1MHz

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

Document Number 85536

Rev. 2, 01-Apr-99

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