5秒后页面跳转
BA682GS08 PDF预览

BA682GS08

更新时间: 2024-02-26 03:15:40
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 42K
描述
Mixer Diode, Very High Frequency, Silicon,

BA682GS08 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.73最小击穿电压:35 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
最大二极管电容:1.5 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:MIXER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
频带:VERY HIGH FREQUENCYJESD-30 代码:O-LELF-R2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:100 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大反向电流:0.05 µA表面贴装:YES
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
Base Number Matches:1

BA682GS08 数据手册

 浏览型号BA682GS08的Datasheet PDF文件第2页 

与BA682GS08相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BA682-GS08 VISHAY Band Switching Diodes

获取价格

BA682GS18 VISHAY Mixer Diode, DO-213AA, GLASS, SOD-80, MINIMELF-2

获取价格

BA682GS18 TEMIC Mixer Diode, Very High Frequency, Silicon,

获取价格

BA682-GS18 VISHAY DIODE SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE, DO-213AA, ROHS COMPLIANT, GLASS, MINIMELF-2, Microwa

获取价格

BA682-T NXP DIODE SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE, Microwave Mixer Diode

获取价格

BA682T/R NXP DIODE SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE, Microwave Mixer Diode

获取价格