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BA6129AF-E2

更新时间： 2024-02-01 17:05:34
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 114K
描述
Power Supply Support Circuit, Fixed, 1 Channel, +3.5VV, BIPolar, PDSO8, SOP-8

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BA6129AF-E2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：LSOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.68
可调阈值：NO模拟集成电路 - 其他类型：POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUIT
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3/e2
长度：5 mm信道数量：1
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：75 °C最低工作温度：-20 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LSOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.6 mm子类别：Power Management Circuits
最大供电电流 (Isup)：2 mA标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：BIPOLAR
温度等级：COMMERCIAL EXTENDED端子面层：TIN/TIN COPPER
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL阈值电压标称：+3.5V
处于峰值回流温度下的最长时间：10宽度：4.4 mm
Base Number Matches：1

BA6129AF-E2 数据手册

 浏览型号BA6129AF-E2的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BA6129AF-E2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BA6129AF-E2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BA6129AF-E2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BA6129AF-E2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BA6129AF-E2的Datasheet PDF文件第7页 
Memory ICs  
BA6129AF / BA6162 / BA6162F  
Electrical characteristics  
•
BA6129AF (unless otherwise noted, Ta = 25°C, VRRES = VCC = 5V, RRES = 10kΩ)  
Parameter  
No-load current dissipation  
I / O voltage differential 1  
Vo output voltage 1  
Symbol  
Min.  
—
Typ. Max. Unit  
Conditions  
—
0.03  
4.97  
4.90  
4.86  
3.50  
100  
—
I
CC  
2.0  
0.05  
—
mA  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
CC  
CC  
CC  
CC  
CC  
CC  
CC  
CC  
CC  
CC  
CC  
CC  
CC  
CC  
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
5V, VBAT  
5V, VBAT  
5V, VBAT  
5V, VBAT  
5V, VBAT  
=
=
=
=
=
3V  
—
VSAT1  
3V, I  
3V, I  
3V, I  
3V, I  
O
O
O
O
= – 1mA  
= – 1mA  
= – 15mA  
= – 30mA  
V
O1  
O2  
O3  
4.95  
4.70  
4.50  
3.35  
—
V
—
Vo output voltage 2  
V
V
—
Vo output voltage 3  
V
V
Detection voltage  
VS  
3.65  
—
V
H
→
L
VSH  
mV  
V
L→  
H
Detection hysteresis voltage  
Reset output low level voltage  
Reset leakage current  
—
VRESL  
0.4  
0.1  
1.2  
0.1  
—
3V  
—
—
IRESH  
µA  
5V, VRRES  
=
7V  
0.4V  
—
V
OPL  
CSL  
0.8  
—
V
H→  
L, VRES  
Ϲ
Reset operating limit voltage  
CS output low level voltage  
CS output high level voltage  
CSB output low level voltage  
CSB output high level voltage  
Detection voltage temperature characteristic  
Switching voltage  
—
V
V
V
V
V
/
3V, VBAT  
5V, VBAT  
5V, VBAT  
3V, VBAT  
=
=
=
=
3V, ICS = +  
1
µA  
—
V
CSH  
CSBL  
CSBH Vo  
4.9  
3V, ICS = – 1µ  
A
—
—
V
0.1  
—
3V, ICSB = +  
1µA  
—
V
–
0.1  
3V, ICSB = – 1µ  
A
—
—
V
S
B
–
0.05  
3.15  
—
+ 0.05  
3.45  
—
%
°C  
V
3.30  
100  
—
V
V
V
CC  
CC  
=
=
H→  
L, VBAT  
=
=
3V, R  
3V, R  
O
O
=
=
200k  
200k  
Ω
Ω
VBH  
mV  
°C  
L→H, VBAT  
Switching hysteresis voltage  
Switching voltage temperature characteristic  
Backup current dissipation  
I / O voltage differential 2  
Vo output voltage 4  
—
V
B
–
0.05  
—
+ 0.05  
0.5  
0.30  
—
%
/
—
I
CCB  
µA  
V
V
V
V
CC  
CC  
CC  
CC  
=
=
=
=
GND, VBAT  
GND, VBAT  
GND, VBAT  
GND, VBAT  
=
=
=
=
3V  
—
VSAT2  
0.20  
2.80  
2.67  
—
V
3V, I  
3V, I  
3V, I  
O
O
O
= –  
= –  
1
µ
A
A
V
O4  
O5  
O6  
2.70  
2.60  
V
V
V
1
µ
—
V
= – 100µA  
Vo output voltage 5  
—
V
V
CC – 0.5  
I
O
= – 80mA  
Vo output voltage 6  
—
—
IOR  
0.1  
µA  
V
CC  
= 5V, VBAT = GND  
Reverse current  
(Note) I  
O
, ICS, and ICSB are  
+
when flowing toward the pin and  
–
when flowing away from the pin.  
᭺
Not designed for radiation resistance.  
3
1234567...10

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