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B5817W

更新时间： 2024-01-12 15:50:32

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TRSYS		肖特基二极管光电二极管
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1页	63K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODE

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B5817W 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.65
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-609代码：	e3
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	端子面层：	Matte Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

B5817W 数据手册

SOD-123

B5817W SCHOTTKY BARRIER DIODE

FEATURES

Power dissipation

P_D:

450 mW (Tamb=25℃)

2. 70

3. 70

Collector current

I_F:

Collector-base voltage

V_R:

Operating and storage junction temperature range

Unit: mm

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

MARKING: SJ

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)

I_R

Test conditions

I_R= 1mA

MIN

MAX

UNIT

Reverse breakdown voltage

Reverse voltage leakage current

V_R=20V

I_F=1A

I_F=3A

0.45

0.75

Forward voltage

V_F

Diode capacitance

C_D

V_R=4V, f=1MHz

120

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