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B5817WSF2

更新时间: 2024-09-24 21:08:19
品牌 Logo 应用领域
扬杰 - YANGJIE 光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 557K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon,

B5817WSF2 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Contact Manufacturer
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.65
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G2
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:20 V表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

B5817WSF2 数据手册

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RoHS  
COMPLIANT  
B5817WS THRU B5819WS  
Schottky Barrier Rectifier  
Features  
● VR  
20V/30V/40V  
IFAV 1A  
Typical Applications  
● Extreme fast switches  
Mechanical Data  
ackage: SOD323  
P
Terminals: Tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
Cathode line denotes the cathode end  
Marking  
Polarity:  
B5817WS  
B5818WS  
B5819WS  
SJ  
SK  
SL  
s (Ta=25°C Unless otherwise specified)  
Maximum Rating  
Conditions  
VALUE  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
B5817WS  
20  
30  
40  
20  
30  
40  
Repetitive peak reverse voltage  
Reverse voltage  
VRRM  
V
B5818WS  
B5819WS  
B5817WS  
B5818WS  
B5819WS  
VR  
V
IR=1mA  
Peak forward surge current  
Average forward current  
IFSM  
IFAV  
Tj  
A
tp=8.3ms, half sine  
10  
1
°C  
Tc=90  
A
Maximum junction temperature  
Storage temperature range  
°C  
°C  
-65 to +125  
-65 to +150  
Tstg  
Thermal Resistance Junction to  
Ambient Air  
RθJA  
°C /W  
500  
Electrical CharacteristicsT =25Unless otherwise specified)  
a
Conditions  
VALUE  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
B5817WS  
0.45  
0.55  
0.60  
0.75  
0.875  
0.90  
°C  
°C  
VF  
V
B5818WS  
B5819WS  
B5817WS  
B5818WS  
B5819WS  
IF=1A, TJ=25  
Maximum  
Maximum  
Forward voltage  
VF  
IR  
V
IF=3A, TJ=25  
°C  
°C  
°C  
B5817WS  
B5818WS  
B5819WS  
200  
40  
40  
VR=20V,TA=25  
VR=30V,TA=25  
VR=40V,TA=25  
uA  
Reverse current  
B5817WS  
B5818WS  
B5819WS  
20  
30  
40  
A
Minimum Breakdown voltage  
V(BR)  
CD  
V
IR=1m  
Maximum  
pF  
VR=4V, f =1MHZ  
120  
Diode capacitance  
1 / 5  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
S-S1680  
Rev.1.2,24-Jan-19  
www.21yangjie.com  

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