B5817WS

更新时间： 2024-09-24 03:20:47

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江苏长电/长晶 - CJ		整流二极管肖特基二极管
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描述
SCHOTTKY BARRIER DIODE

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B5817WS 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	R-PDSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
其他特性：	FREE WHEELING DIODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.45 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.25 W
最大重复峰值反向电压：	20 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

B5817WS 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOD-323 Plastic-Encapsulate Diode

B5817WS SCHOTTKY BARRIER DIODE

SOD-323

FEATURES

Power dissipation

P_D:

200 mW (Tamb=25℃)

Collector current

I_F:

Collector-base voltage

V_R:

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

MARKING: SJ

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃

unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)

I_R

Test

conditions

I_R= 1mA

MIN

MAX

UNIT

Reverse breakdown voltage

Reverse voltage leakage current

V_R=20V

I_F=1A

I_F=3A

0.45

0.75

Forward voltage

V_F

Diode capacitance

C_D

V_R=4V, f=1MHz

120

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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