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B250C800G/51

更新时间： 2024-02-22 07:51:57
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 87K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.9A, 400V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE WOG, 4 PIN

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B250C800G/51 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：O-PBCY-W4针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.67
最小击穿电压：400 V外壳连接：ISOLATED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-PBCY-W4
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：45 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最大输出电流：0.9 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：400 V
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

B250C800G/51 数据手册

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B40C800G thru B380C800G  
Vishay General Semiconductor  
Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier  
FEATURES  
• Ideal for printed circuit boards  
• High case dielectric strength  
• High surge current capability  
e4  
+
~
~
−
• Typical I less than 0.1 µA  
~
R
+
−
~
• Solder dip 260 °C, 40 s  
Case Style WOG  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
TYPICAL APPLICATIONS  
General purpose use in ac-to-dc bridge full wave  
rectification for power supply, adapter, charger,  
lighting ballaster on consumers and home appliances  
applications.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
0.9 A  
VRRM  
IFSM  
IR  
65 V to 600 V  
45 A  
MECHANICAL DATA  
Case: WOG  
10 µA  
VF  
1.0 V  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
TJ max.  
125 °C  
Terminals: Silver plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E4 suffix for consumer grade  
Polarity: As marked on body  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
B40  
C800G  
B80  
C800G  
B125  
C800G  
B250  
C800G  
B380  
C800G  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
VRMS  
65  
40  
125  
80  
200  
125  
400  
250  
600  
380  
V
V
Maximum RMS input voltage R- and C-load  
Maximum average forward output current for R- and L-load  
0.9  
0.8  
IF(AV)  
A
free air operation at TA = 45 °C  
C-load  
Maximum non-repetitive peak voltage  
Maximum DC blocking voltage  
VRSM  
VDC  
VRWM  
IFRM  
IFSM  
I2t  
100  
65  
200  
125  
180  
350  
200  
300  
10  
600  
400  
600  
1000  
600  
V
V
Maximum peak working voltage  
90  
900  
V
Maximum repetitive peak forward surge current  
A
Peak forward surge current single sine-wave on rated load  
Rating for fusing at TJ = 125 °C (t < 100 ms)  
45  
A
A2s  
10  
Minimum series resistor C-load at VRMS  
=
10 %  
+ 50 %  
- 10 %  
Rt  
1.0  
2.0  
4.0  
8.0  
12  
Ω
Maximum load capacitance  
CL  
5000  
2500  
1000  
500  
200  
µF  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
TJ  
- 40 to + 125  
- 40 to + 150  
°C  
°C  
TSTG  
Document Number: 88534  
Revision: 15-Apr-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
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与B250C800G/51相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
B250C800G/51-E4 VISHAY

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 		DIODE 0.9 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE WOG, 4 PIN, Bridge Rect
B250C800G/72 VISHAY

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.9A, 400V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE WOG, 4 PIN
B250C800G/72-E4 VISHAY

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 		DIODE 0.9 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE WOG, 4 PIN, Bridge Rect
B250C800GE4 VISHAY

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 		DIODE 0.9 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE WOG, 4 PIN,
B250C800G-E4 VISHAY

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 		Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
B250C800G-E4/51 VISHAY

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 		DIODE 0.9 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE WOG, 4
B250C800-LF WTE

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.8A, 600V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, WOB,
B250C800W MICRO-ELECTRONICS

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B250D SEMIKRON

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 		Si-Bridge Rectifiers
B250D LGE

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 		Silicon Bridge Rectifiers

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