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B250C800G/72-E4

更新时间： 2024-09-25 15:28:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 24K
描述
DIODE 0.9 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE WOG, 4 PIN, Bridge Rectifier Diode

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B250C800G/72-E4 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：O-PBCY-W4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.6最小击穿电压：400 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-PBCY-W4
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：45 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：0.9 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：400 V表面贴装：NO
端子面层：SILVER端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

B250C800G/72-E4 数据手册

 浏览型号B250C800G/72-E4的Datasheet PDF文件第2页 
B40C800G thru B380C800G  
Vishay Semiconductors  
formerly General Semiconductor  
Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier  
Rectifier Reverse Voltage 65 and 600 V  
Rectifier Forward Current 0.9 A  
Case Style WOG  
Features  
0.388 (9.86)  
0.348 (8.84)  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-0  
• Glass passivated chip junction  
• High case dielectric strength  
0.220 (5.6)  
0.160 (4.1)  
• Typical IR less than 0.1µA  
• High overload surge current  
1.0  
(25.4)  
MIN.  
• Ideal for printed circuit boards  
• High temperature soldering guaranteed:  
260°C/10 seconds, 0.375 (9.5mm) lead length,  
5lbs. (2.3kg) tension  
Dimensions in inches  
and (millimeters)  
0.032 (0.81)  
0.028 (0.71)  
0.060 (1.52)  
0.020 (0.51)  
Mechanical Data  
Case: Molded plastic body over passivated junctions  
Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
0.220 (5.6)  
0.180 (4.6)  
0.348 (8.84)  
0.308 (7.82)  
Mounting Position: Any  
Weight: 0.04 oz., 1.1 g  
Packaging codes/options:  
0.220 (5.6)  
0.180 (4.6)  
1/100 EA. per Bulk Bag  
Maximum Ratings & Thermal Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Symbols  
B40  
B80  
B125  
B250  
B380 Units  
Parameter  
C800G C800G C800G C800G C800G  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS input voltage R + C-load  
Maximum average forward output current for  
free air operation at TA=45°C R + L-load  
C-Load  
Maximum non-repetitive peak voltage  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum peak working voltage  
Maximum repetitive peak forward surge current  
Peak forward surge current  
VRRM  
VRMS  
65  
40  
125  
80  
200  
125  
400  
250  
600  
380  
V
V
IF(AV)  
0.9  
0.8  
350  
200  
300  
10  
A
VRSM  
VDC  
VRWM  
IFRM  
100  
65  
90  
200  
125  
180  
600  
400  
600  
1000  
600  
900  
V
V
V
A
IFSM  
45  
A
single sine wave on rated load at TJ=125°C  
Rating for fusing at TJ=125°C (t<100ms)  
Minimum series resistor C-load at VRMS = ±10%  
Maximum load capacitance +50%  
-10%  
I2t  
Rt  
10  
4.0  
A2sec  
Ω
1.0  
2.0  
8.0  
12  
CL  
5000  
2500  
1000  
500  
200  
µF  
Typical thermal resistance per leg (1)  
RΘJA  
RΘJL  
TJ  
36  
11  
°C/W  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
TSTG  
Electrical Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Symbols  
B40  
B80  
B125  
B250  
B380 Units  
Parameter  
C800G C800G C800G C800G C800G  
Maximum instantaneous forward voltage drop  
per leg at 0.9A  
Maximum reverse current at rated repetitive  
peak voltage per leg  
VF  
IR  
1.0  
V
10  
µA  
Notes: (1) Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on P.C.B. at 0.375" (9.5mm) lead lengths  
with 0.2 x 0.2" (5.5 x 5.5mm) copper pads.  
Document Number 88534  
04-Mar-02  
www.vishay.com  
1
12

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与B250C800G/72-E4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
B250C800GE4 VISHAY

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 		DIODE 0.9 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE WOG, 4 PIN,
B250C800G-E4 VISHAY

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 		Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
B250C800G-E4/51 VISHAY

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 		DIODE 0.9 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE WOG, 4
B250C800-LF WTE

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.8A, 600V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, WOB,
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