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B125C5000-3300

更新时间： 2024-01-01 09:45:22
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 二极管IOT
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2页 188K
描述
Silicon-Bridge Rectifiers

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B125C5000-3300 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSIP-W4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：2.29其他特性：UL RECOGNIZED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSIP-W4
最大非重复峰值正向电流：165 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-50 °C
最大输出电流：5.8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：250 V子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

B125C5000-3300 数据手册

 浏览型号B125C5000-3300的Datasheet PDF文件第2页 
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Silicon-Bridge Rectifiers  
Absolute Maximum Ratings  
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Forward Current: 5 / 3,3 A  
Reverse Voltage: 80 to 1000 V  
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Dimensions in mm  
1
13-09-2005 SCT  
© by SEMIKRON  
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