Datasheet > ATC100B0R7BT500XT

ATC100B0R7BT500XT

更新时间： 2024-02-10 20:07:01

品牌	Logo	应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
19页	948K
描述
RF Power LDMOS Transistors

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ATC100B0R7BT500XT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	CHIP
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8532.24.00.20	风险等级：	5.55
其他特性：	MIL-PRF-55681, MIL-PRF-123	电容：	7e-7 µF
电容器类型：	CERAMIC CAPACITOR	介电材料：	CERAMIC
高度：	2.59 mm	JESD-609代码：	e3
长度：	2.79 mm	安装特点：	SURFACE MOUNT
多层：	Yes	负容差：	14.2857%
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装形式：	SMT
包装方法：	TR	正容差：	14.2857%
额定（直流）电压（URdc）：	500 V	参考标准：	MIL-PRF-55681
尺寸代码：	1111	表面贴装：	YES
温度特性代码：	P90	温度系数：	90+/-20ppm/Cel ppm/ °C
端子面层：	Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形状：	WRAPAROUND
宽度：	2.79 mm	Base Number Matches：	1

ATC100B0R7BT500XT 数据手册

浏览型号ATC100B0R7BT500XT的Datasheet PDF文件第1页

浏览型号ATC100B0R7BT500XT的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号ATC100B0R7BT500XT的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号ATC100B0R7BT500XT的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号ATC100B0R7BT500XT的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号ATC100B0R7BT500XT的Datasheet PDF文件第7页

Table 3. ESD Protection Characteristics

Test Methodology

Class

Human Body Model (per JESD22--A114)

Machine Model (per EIA/JESD22--A115)

Charge Device Model (per JESD22--C101)

2 (2001--4000 V)

B (201--400 V)

IV (>1000 V)

Table 4. Moisture Sensitivity Level

Test Methodology

Rating

Package Peak Temperature

Unit

Per JESD22--A113, IPC/JEDEC J--STD--020

260

°C

Table 5. Electrical Characteristics (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Off Characteristics

Gate--Source Leakage Current

—

115

—

0.5

—

μAdc

Vdc

GSS

(V = 5 Vdc, V = 0 Vdc)

Drain--Source Breakdown Voltage

(I = 50 mA, V = 0 Vdc)

(BR)DSS

Zero Gate Voltage Drain Leakage Current

(V = 50 Vdc, V = 0 Vdc)

μAdc

DSS

Zero Gate Voltage Drain Leakage Current

—

(V = 100 Vdc, V = 0 Vdc)

On Characteristics

Gate Threshold Voltage

(V = 10 Vdc, I = 200 μAdc)

0.9

2.0

—

1.6

2.7

0.2

2.4

3.5

—

Vdc

GS(th)

GS(Q)

DS(on)

Gate Quiescent Voltage

(V = 50 Vdc, I = 350 mAdc, Measured in Functional Test)

Drain--Source On--Voltage

(V = 10 Vdc, I = 0.5 Adc)

Dynamic Characteristics

Reverse Transfer Capacitance

(V = 50 Vdc ± 30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V = 0 Vdc)

—

rss

Output Capacitance

(V = 50 Vdc ± 30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V = 0 Vdc)

oss

65.4

591

(1)

Input Capacitance

iss

(V = 50 Vdc, V = 0 Vdc ± 30 mV(rms)ac @ 1 MHz)

Functional Tests (In Freescale DVB--T Narrowband Test Fixture, 50 ohm system) V = 50 Vdc, I = 350 mA, P = 18 W Avg.,

out

f = 860 MHz, DVB--T (8k OFDM) Single Channel. ACPR measured in 7.61 MHz Channel Bandwidth @ ±4 MHz Offset @ 4 kHz Bandwidth.

Power Gain

21.0

27.5

—

22.0

28.5

--62.0

-- 1 4

24.0

—

Drain Efficiency

Adjacent Channel Power Ratio

Input Return Loss

ACPR

IRL

--60.0

-- 9

dBc

—

1. Part internally input matched.

MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5 MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5

RF Device Data

Freescale Semiconductor, Inc.

123 4 5 6 7...19

下载PDF

与ATC100B0R7BT500XT相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ATC100B0R8BT500XT	NXP	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers	获取价格
ATC100B0R8BT500XT	FREESCALE	RF Power Field Effect Transistors	获取价格
ATC100B0R8JT500XT	NXP	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers	获取价格
ATC100B100GT500XT	NXP	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers	获取价格
ATC100B100JT500XT	FREESCALE	RF Power LDMOS Transistors	获取价格
ATC100B100JT500XT	NXP	RF Power LDMOS Transistor	获取价格

与ATC100B0R7BT500XT相关文章

STM32H743技术深度剖析与应用案例探索
2024-05-30

17
LM321中文资料解析：引脚功能介绍、技术特点、技术特性分析
2024-05-30

16
74HC14芯片资料介绍：性能特性分析、引脚介绍
2024-05-30

14
LM1875芯片手册：功放参数分析、引脚说明、电路设计要点
2024-05-30

11

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ATC100B0R7BT500XT

ATC100B0R7BT500XT 技术参数

ATC100B0R7BT500XT 数据手册

与ATC100B0R7BT500XT相关器件

与ATC100B0R7BT500XT相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ATC100B0R7BT500XT

ATC100B0R7BT500XT 技术参数

ATC100B0R7BT500XT 数据手册

与ATC100B0R7BT500XT相关器件

与ATC100B0R7BT500XT相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？