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ATC100B0R7BT500XT

更新时间： 2024-01-02 15:42:57

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管
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描述
RF Power LDMOS Transistors

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ATC100B0R7BT500XT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	CHIP
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8532.24.00.20	风险等级：	5.55
其他特性：	MIL-PRF-55681, MIL-PRF-123	电容：	7e-7 µF
电容器类型：	CERAMIC CAPACITOR	介电材料：	CERAMIC
高度：	2.59 mm	JESD-609代码：	e3
长度：	2.79 mm	安装特点：	SURFACE MOUNT
多层：	Yes	负容差：	14.2857%
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装形式：	SMT
包装方法：	TR	正容差：	14.2857%
额定（直流）电压（URdc）：	500 V	参考标准：	MIL-PRF-55681
尺寸代码：	1111	表面贴装：	YES
温度特性代码：	P90	温度系数：	90+/-20ppm/Cel ppm/ °C
端子面层：	Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形状：	WRAPAROUND
宽度：	2.79 mm	Base Number Matches：	1

ATC100B0R7BT500XT 数据手册

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TYPICAL CHARACTERISTICS — TWO--TONE (NARROWBAND TEST CIRCUIT)

-- 10

-- 20

= 50 Vdc, P = 90 W (PEP), I = 350 mA

out DQ

-- 25

= 50 Vdc, I = 350 mA, f1 = 854 MHz

f = 860 MHz, Two--Tone Measurements

-- 20

-- 30

-- 40

f2 = 860 MHz, Two--Tone Measurements

-- 30

-- 35

-- 40

-- 45

-- 50

3rd Order

5th Order

7th Order

5th Order

-- 50

-- 55

-- 60

-- 65

-- 60

-- 7 0

7th Order

100

200

, OUTPUT POWER (WATTS) PEP

TWO--TONE SPACING (MHz)

out

Figure 9. Intermodulation Distortion Products

versus Output Power

Figure 10. Intermodulation Distortion

Products versus Two--Tone Spacing

23.5

-- 10

-- 20

= 50 Vdc, f1 = 854 MHz, f2 = 860 MHz

Two--Tone Measurements, 6 MHz Tone Spacing

= 450 mA

22.5

-- 30

-- 40

-- 50

-- 60

350 mA

300 mA

250 mA

= 250 mA

21.5

300 mA

= 50 Vdc, f1 = 854 MHz, f2 = 860 MHz

20.5

Two--Tone Measurements, 6 MHz Tone Spacing

450 mA

350 mA

100

200

, OUTPUT POWER (WATTS) PEP

100

200

, OUTPUT POWER (WATTS) PEP

out

Figure 12. Third Order Intermodulation

Distortion versus Output Power

Figure 11. Two--Tone Power Gain versus

Output Power

MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5 MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5

RF Device Data

Freescale Semiconductor, Inc.

1...3 4 567 8 9...19

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