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| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.69 |
| 最小击穿电压： | 90 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管电容容差： | 10% |
| 最小二极管电容比： | 8.6 | 标称二极管电容： | 3.9 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 频带： | L BAND | JEDEC-95代码： | DO-7 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最小质量因数： | 800 |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 变容二极管分类： | ABRUPT |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AT900820 | ASI |
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Variable Capacitance Diode, L Band, 3.9pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt, |
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| AT900821 | ASI |
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Variable Capacitance Diode, L Band, 3.9pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt, |
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| AT900831 | ASI |
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Variable Capacitance Diode, L Band, 3.9pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt, |
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| AT900883 | ASI |
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Variable Capacitance Diode, L Band, 3.9pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt, |
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| AT900884 | ASI |
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Variable Capacitance Diode, L Band, 3.9pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt, |
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| AT9009 | ASI |
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Variable Capacitance Diode, L Band, 4.7pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt, |
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| AT900901 | ASI |
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Variable Capacitance Diode, L Band, 4.7pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt, |
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| AT900910 | ASI |
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Variable Capacitance Diode, L Band, 4.7pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt, |
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| AT900911 | ASI |
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Variable Capacitance Diode, L Band, 4.7pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt, |
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| AT900915 | ASI |
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Variable Capacitance Diode, L Band, 4.7pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt, DO-7, |
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