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AT901083

更新时间: 2024-11-25 14:29:23
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ASI 二极管变容二极管
页数 文件大小 规格书
3页 119K
描述
Variable Capacitance Diode, L Band, 5.6pF C(T), 90V, Silicon, Abrupt,

AT901083 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-CEMW-N2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.69
最小击穿电压:90 V二极管电容容差:10%
最小二极管电容比:8.8标称二极管电容:5.6 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带:L BANDJESD-30 代码:O-CEMW-N2
端子数量:2封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:MICROWAVE
认证状态:Not Qualified最小质量因数:750
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:END变容二极管分类:ABRUPT
Base Number Matches:1

AT901083 数据手册

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