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AT49F1604-70UL

更新时间： 2024-11-08 17:58:35
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 699K
描述
Flash, 2MX8, 70ns, PBGA48, MICRO, BGA-48

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AT49F1604-70UL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：MICRO, BGA-48
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.84最长访问时间：70 ns
其他特性：CONFIGURABLE AS 1M X 16; SECTOR ERASE启动块：BOTTOM
JESD-30 代码：R-PBGA-B48JESD-609代码：e1
长度：8.5 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1端子数量：48
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
类型：NOR TYPE宽度：6.9 mm
Base Number Matches：1

AT49F1604-70UL 数据手册

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Features  
• 4.5V to 5.5V Read/Write  
• Access Time - 70 ns  
• Sector Erase Architecture  
– Thirty 32K Word (64K byte) Sectors with Individual Write Lockout  
– Eight 4K Word (8K byte) Sectors with Individual Write Lockout  
– Two 16K Word (32K byte) Sectors with Individual Write Lockout  
• Fast Word Program Time - 10 µs  
• Fast Sector Erase Time - 200 ms  
• Dual Plane Organization, Permitting Concurrent Read while Program/Erase  
Memory Plane A: Eight 4K Word, Two 16K Word and Six 32K Word Sectors  
Memory Plane B: Twenty-four 32K Word Sectors  
• Erase Suspend Capability  
– Supports Reading/Programming Data from Any Sector by Suspending Erase of  
Any Different Sector  
• Low-power Operation  
16-megabit  
(1M x 16/2M x 8)  
5-volt Only  
– 60 mA Active  
Flash Memory  
– 3 mA Standby  
• DATA Polling, Toggle Bit, Ready/Busy for End of Program Detection  
• RESET Input for Device Initialization  
• Sector Program Unlock Command  
• TSOP, CBGA, and µBGA Package Options  
• Top or Bottom Boot Block Configuration Available  
AT49F1604  
AT49F1604T  
AT49F1614  
AT49F1614T  
Description  
The AT49F16X4(T) is a 5.0-volt 16-megabit Flash memory organized as 1,048,576  
words of 16 bits each or 2,097,152 bytes of 8 bits each. The x16 data appears on I/O0  
- I/O15; the x8 data appears on I/O0 - I/O7. The memory is divided into 40 sectors for  
erase operations. The device is offered in 48-pin TSOP and 48-ball µBGA packages.  
The device has CE, and OE control signals to avoid any bus contention. This device  
can be read or reprogrammed using a single 5.0V power supply, making it ideally  
suited for in-system programming.  
The device powers on in the read mode. Command sequences are used to place the  
device in other operation modes such as program and erase. The device has the  
(continued)  
Pin Configurations  
Pin Name  
A0 - A19  
CE  
Function  
Addresses  
Chip Enable  
Output Enable  
Write Enable  
Reset  
OE  
WE  
RESET  
RDY/BUSY READY/BUSY Output  
I/O0 - I/O14 Data Inputs/Outputs  
I/O15 (Data Input/Output, Word Mode)  
I/O15 (A-1)  
A-1 (LSB Address Input, Byte Mode)  
Selects Byte or Word Mode  
No Connect  
BYTE  
NC  
Rev. 0977H–08/99  
DC  
Don’t Connect  
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