AT29LV512-25JI

更新时间： 2024-11-23 22:53:59

品牌	Logo	应用领域
爱特美尔 - ATMEL		/
页数	文件大小	规格书
10页	459K
描述
512K 64K x 8 3-volt Only CMOS Flash Memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AT29LV512-25JI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.91	最长访问时间：	250 ns
其他特性：	AUTOMATIC WRITE; HARDWARE & SOFTWARE DATA PROTECTION	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	耐久性：	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	JESD-609代码：	e0
长度：	13.97 mm	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	2	功能数量：	1
部门数/规模：	512	端子数量：	32
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装等效代码：	LDCC32,.5X.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
页面大小：	128 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.556 mm	部门规模：	128
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.015 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	11.43 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	20 ms
Base Number Matches：	1

AT29LV512-25JI 数据手册

AT29LV512

Features

Single Supply Voltage, Range 3V to 3.6V

3-Volt-Only Read and Write Operation

Software Protected Programming

Low Power Dissipation

•

15 mA Active Current

20 µA CMOS Standby Current

Fast Read Access Time - 200 ns

Sector Program Operation

•

Single Cycle Reprogram (Erase and Program)

512 Sectors (128 bytes/sector)

512K (64K x 8)

3-volt Only

CMOS Flash

Memory

Internal Address and Data Latches for 128-Bytes

Fast Sector Program Cycle Time - 20 ms Max.

Internal Program Control and Timer

DATA Polling for End of Program Detection

Typical Endurance > 10,000 Cycles

CMOS and TTL Compatible Inputs and Outputs

Commercial and Industrial Temperature Ranges

•

Description

The AT29LV512 is a 3-volt-only in-system Flash programmable erasable read only

memory (PEROM). Its 512K of memory is organized as 65,536 words by 8 bits. Manu-

factured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the device offers ac-

cess times to 200 ns with power dissipation of just 54 mW over the commercial tem-

perature range. When the device is deselected, the CMOS standby current is less

than 20 µA. The device endurance is such that any sector can typically be written to

in excess of 10,000 times.

(continued)

Pin Configurations

Pin Name Function

AT29LV512

PLCC Top View

A0 - A15

Addresses

Chip Enable

Output Enable

Write Enable

I/O0 - I/O7 Data Inputs/Outputs

NC No Connect

TSOP Top View

Type 1

0177I

4-43

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与AT29LV512-25JI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AT29LV512-25JIT/R	ATMEL	获取价格	Flash, 64KX8, 250ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
AT29LV512-25JUT/R	ATMEL	获取价格	Flash, 64KX8, 250ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
AT29LV512-25PC	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
AT29LV512-25PI	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
AT29LV512-25TC	ATMEL	获取价格	512K 64K x 8 3-volt Only CMOS Flash Memory
AT29LV512-25TCT/R	ATMEL	获取价格	Flash, 64KX8, 250ns, PDSO32, PLASTIC, TSOP-32
AT29LV512-25TI	ATMEL	获取价格	512K 64K x 8 3-volt Only CMOS Flash Memory
AT29LV512-25TIT/R	ATMEL	获取价格	Flash, 64KX8, 250ns, PDSO32, PLASTIC, TSOP-32
AT29LV512-25TUT/R	ATMEL	获取价格	Flash, 64KX8, 250ns, PDSO32, PLASTIC, TSOP-32
AT2-B4-24-650-H22-C	Carling Technologies	获取价格	Magnetic Circuit Breaker,

与AT29LV512-25JI相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

39
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

31
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

59
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

55

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AT29LV512-25JI

AT29LV512-25JI 技术参数

AT29LV512-25JI 数据手册

与AT29LV512-25JI相关器件

与AT29LV512-25JI相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AT29LV512-25JI

AT29LV512-25JI 技术参数

AT29LV512-25JI 数据手册

与AT29LV512-25JI相关器件

与AT29LV512-25JI相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？