是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP24,.3 | 针数: | 24 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.9 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 35 ns |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | NO |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T24 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 32 mm | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 24 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 2KX8 | |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP24,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 12 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大待机电流: | 0.06 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.08 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | NO |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT28HC291-35DI | ATMEL |
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EEPROM, 2KX8, 35ns, Parallel, CMOS, CDIP24, | |
AT28HC291-35DM | ATMEL |
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EEPROM, 2KX8, 35ns, Parallel, CMOS, CDIP24, | |
AT28HC291-35DM/883 | ATMEL |
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EEPROM, 2KX8, 35ns, Parallel, CMOS, CDIP24, | |
AT28HC291-35DMB | ATMEL |
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EEPROM, 2KX8, 35ns, Parallel, CMOS, CDIP24, | |
AT28HC291-35LC | ATMEL |
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EEPROM, 2KX8, 35ns, Parallel, CMOS, CQCC28, | |
AT28HC291-35LI | ATMEL |
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EEPROM, 2KX8, 35ns, Parallel, CMOS, CQCC28, | |
AT28HC291-35LM | ATMEL |
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EEPROM, 2KX8, 35ns, Parallel, CMOS, CQCC28, | |
AT28HC291-35LM/883 | ATMEL |
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EEPROM, 2KX8, 35ns, Parallel, CMOS, CQCC28, | |
AT28HC291-35LMB | ATMEL |
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EEPROM, 2KX8, 35ns, Parallel, CMOS, CQCC28, | |
AT28HC291-35PC | ATMEL |
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EEPROM, 2KX8, 35ns, Parallel, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 |