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AT28C256-15TU

更新时间： 2024-11-20 14:26:31

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美国微芯 - MICROCHIP		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
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25页	530K
描述
IC EEPROM 256KBIT 150NS 28TSOP

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AT28C256-15TU 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	TSOP1, TSSOP28,.53,22
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	2.23
最长访问时间：	150 ns	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	耐久性：	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	JESD-609代码：	e3
长度：	11.8 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP28,.53,22
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小：	64 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.0002 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.55 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
宽度：	8 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

AT28C256-15TU 数据手册

Features

• Fast Read Access Time – 150 ns

• Automatic Page Write Operation

– Internal Address and Data Latches for 64 Bytes

– Internal Control Timer

• Fast Write Cycle Times

– Page Write Cycle Time: 3 ms or 10 ms Maximum

– 1 to 64-byte Page Write Operation

• Low Power Dissipation

256K (32K x 8)

Paged Parallel

EEPROM

– 50 mA Active Current

– 200 µA CMOS Standby Current

• Hardware and Software Data Protection

• DATA Polling for End of Write Detection

• High Reliability CMOS Technology

– Endurance: 10⁴or 10⁵Cycles

– Data Retention: 10 Years

AT28C256

• Single 5V ± 10% Supply

• CMOS and TTL Compatible Inputs and Outputs

• JEDEC Approved Byte-wide Pinout

• Full Military and Industrial Temperature Ranges

• Green (Pb/Halide-free) Packaging Option

1. Description

The AT28C256 is a high-performance electrically erasable and programmable read-

only memory. Its 256K of memory is organized as 32,768 words by 8 bits. Manufac-

tured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the device offers access

times to 150 ns with power dissipation of just 440 mW. When the device is deselected,

the CMOS standby current is less than 200 µA.

The AT28C256 is accessed like a Static RAM for the read or write cycle without the

need for external components. The device contains a 64-byte page register to allow

writing of up to 64 bytes simultaneously. During a write cycle, the addresses and 1 to

64 bytes of data are internally latched, freeing the address and data bus for other

operations. Following the initiation of a write cycle, the device will automatically write

the latched data using an internal control timer. The end of a write cycle can be

detected by DATA Polling of I/O7. Once the end of a write cycle has been detected a

new access for a read or write can begin.

Atmel’s AT28C256 has additional features to ensure high quality and manufacturabil-

ity. The device utilizes internal error correction for extended endurance and improved

data retention characteristics. An optional software data protection mechanism is

available to guard against inadvertent writes. The device also includes an extra

64 bytes of EEPROM for device identification or tracking.

0006M–PEEPR–12/09

12 3 4 5 6 7...25

中文翻译

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AT28C256-15TU 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
AT28C256E-15SU	ATMEL	类似代替	EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, GREEN, PLASTIC, MS-013, SOIC-28
AT28C256-15DM/883	ATMEL	类似代替	256K 32K x 8 Paged CMOS E2PROM

与AT28C256-15TU相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AT28C256-15TU-T	MICROCHIP	获取价格	150NS, TSOP, IND TEMP, GREEN
AT28C256-15UC	ETC	获取价格	x8 EEPROM
AT28C256-15UI	ETC	获取价格	x8 EEPROM
AT28C256-15UM	ETC	获取价格	x8 EEPROM
AT28C256-15UM/883	ATMEL	获取价格	256K 32K x 8 Paged CMOS E2PROM
AT28C256-15UM/883-610	MICROCHIP	获取价格	IC EEPROM 256KBIT 150NS 28CPGA
AT28C256-20	ATMEL	获取价格	256K 32K x 8 Paged CMOS E2PROM
AT28C256-20DC	ETC	获取价格	x8 EEPROM
AT28C256-20DI	ETC	获取价格	x8 EEPROM
AT28C256-20DJ	ATMEL	获取价格	暂无描述

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