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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | PGA |
| 包装说明： | PGA, PGA28,5X6 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 8.49 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 150 ns | 其他特性： | AUTOMATIC WRITE |
| 命令用户界面： | NO | 数据轮询： | YES |
| 耐久性： | 10000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-CPGA-P28 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 16.51 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | PGA |
| 封装等效代码： | PGA28,5X6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 页面大小： | 64 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class C |
| 座面最大高度： | 4.4 mm | 最大待机电流： | 0.0003 A |
| 子类别： | EEPROMs | 最大压摆率： | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | PERPENDICULAR |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 切换位： | YES |
| 宽度： | 13.97 mm | 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AT28C256-15UM/883-610 | MICROCHIP |
获取价格 |
IC EEPROM 256KBIT 150NS 28CPGA |
|
| AT28C256-20 | ATMEL |
获取价格 |
256K 32K x 8 Paged CMOS E2PROM |
|
| AT28C256-20DC | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| AT28C256-20DI | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| AT28C256-20DJ | ATMEL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| AT28C256-20DM | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| AT28C256-20DM/883 | ATMEL |
获取价格 |
256K 32K x 8 Paged CMOS E2PROM |
|
| AT28C256-20FC | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| AT28C256-20FI | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| AT28C256-20FM | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
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