是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP28,.6 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.68 | 最长访问时间: | 55 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 36.95 mm |
内存密度: | 524288 bit | 内存集成电路类型: | OTP ROM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.59 mm | 最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | OTP ROMs | 最大压摆率: | 0.02 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT27C512R-55PI | ATMEL |
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512K 64K x 8 OTP CMOS EPROM | |
AT27C512R-55RC | ATMEL |
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512K 64K x 8 OTP CMOS EPROM | |
AT27C512R-55RCT/R | ATMEL |
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OTP ROM, 64KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
AT27C512R-55RI | ATMEL |
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512K 64K x 8 OTP CMOS EPROM | |
AT27C512R-55RIT/R | ATMEL |
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OTP ROM, 64KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | |
AT27C512R-55TC | ATMEL |
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512K 64K x 8 OTP CMOS EPROM | |
AT27C512R-55TCT/R | ATMEL |
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OTP ROM, 64KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28 | |
AT27C512R-55TI | ATMEL |
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512K 64K x 8 OTP CMOS EPROM | |
AT27C512R-55TIT/R | ATMEL |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28 | |
AT27C512R-70 | ATMEL |
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512K 64K x 8 OTP CMOS EPROM |