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Datasheet > 存储 > OTP ROM> AT27BV256-15RI
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AT27BV256-15RI

更新时间： 2024-01-03 11:50:08
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 电池存储内存集成电路光电二极管异步传输模式ATM可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
9页 257K
描述
256K 32K x 8 Unregulated Battery-Voltage High Speed OTP CMOS EPROM

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AT27BV256-15RI 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：TSOP1, TSSOP28,.53,22针数：28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.76
最长访问时间：150 ns其他特性：CAN ALSO BE OPERATED AT 4.5V TO 5.5V RANGE
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e0长度：11.8 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：OTP ROM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP28,.53,22
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：3/5 V编程电压：13 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.00002 A子类别：OTP ROMs
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.55 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：8 mmBase Number Matches：1

AT27BV256-15RI 数据手册

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AC Programming Characteristics  
TA = 25 ± 5°C, VCC = 6.5 ± 0.25V, VPP = 13.0 ± 0.25V  
RapidProgramming Algorithm  
A 100 µs CE pulse width is used to program. The address  
is set to the first location. V is raised to 6.5V and V is  
CC  
PP  
raised to 13.0V. Each address is first programmed with  
one 100 µs CE pulse without verification. Then a verifica-  
tion / reprogramming loop is executed for each address.  
In the event a byte fails to pass verification, up to 10 suc-  
cessive 100 µs pulses are applied with a verification after  
each pulse. If the byte fails to verify after 10 pulses have  
been applied, the part is considered failed. After the byte  
verifies properly, the next address is selected until all have  
Sym-  
bol  
Test  
Limits  
Min Max  
(1)  
Parameter Conditions*  
Units  
Address Setup  
Time  
2
µs  
t
AS  
OE Setup Time  
Data Setup Time  
Address Hold Time  
Data Hold Time  
2
2
0
2
µs  
µs  
µs  
µs  
t
t
t
t
OES  
DS  
AH  
been checked. V is then lowered to 5.0V and V  
to  
PP  
CC  
DH  
5.0V. All bytes are read again and compared with the  
original data to determine if the device passes or fails.  
OE High to Out-  
0
130  
ns  
put Float Delay (2)  
t
DFP  
VPP Setup Time  
VCC Setup Time  
2
2
µs  
µs  
t
t
VPS  
VCS  
CE Program Pulse  
Width (3)  
95  
105  
150  
µs  
ns  
ns  
t
t
t
PW  
Data Valid  
(2)  
OE  
from OE  
VPP Pulse Rise Time During  
Programming  
50  
PRT  
*AC Conditions of Test:  
Input Rise and Fall Times (10% to 90%)...........20 ns  
Input Pulse Levels................................0.45V to 2.4V  
Input Timing Reference Level................0.8V to 2.0V  
Output Timing Reference Level.............0.8V to 2.0V  
Notes: 1. VCC must be applied simultaneously or before VPP  
and removed simultaneously or after VPP  
.
2. This parameter is only sampled and is not 100%  
tested. Output Float is defined as the point where  
data is no longer driven —see timing diagram.  
3. Program Pulse width tolerance is 100 µsec ± 5%.  
Atmel’s 27BV256 Integrated  
Product Identification Code (1)  
Pins  
Hex  
Codes  
Data  
A0 O7 O6 O5 O4 O3 O2 O1 O0  
Manufacturer  
Device Type  
0
1
0
1
0
0
0
0
1
0
1
1
1
1
1
0
0
0
1E  
8C  
Note: 1. The AT27BV256 has the same Product Identification  
Code as the AT27C256R. Both are programming  
compatible.  
3-10  
AT27BV256  
1...56789

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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