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AT27BV256-15RI

更新时间： 2024-02-28 20:11:02

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爱特美尔 - ATMEL		电池存储内存集成电路光电二极管异步传输模式 ATM 可编程只读存储器 OTP只读存储器电动程控只读存储器
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描述
256K 32K x 8 Unregulated Battery-Voltage High Speed OTP CMOS EPROM

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AT27BV256-15RI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSOP1, TSSOP28,.53,22	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.76
最长访问时间：	150 ns	其他特性：	CAN ALSO BE OPERATED AT 4.5V TO 5.5V RANGE
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e0	长度：	11.8 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	OTP ROM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP28,.53,22
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	3/5 V	编程电压：	13 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.00002 A	子类别：	OTP ROMs
最大压摆率：	0.02 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.55 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

AT27BV256-15RI 数据手册

AT27BV256

Programming Waveforms ⁽¹⁾

3. When programming the AT27BV256 a 0.1 µF capacitor is

required across V_PPand ground to suppress spurious volt-

age transients.

Notes: 1. The Input Timing Reference is 0.8V for V_ILand

2.0V for V_IH.

2. t_OEand t_DFPare characteristics of the device but

must be accommodated by the programmer.

DC Programming Characteristics

TA = 25 ± 5°C, V_CC= 6.5 ± 0.25V, V_PP= 13.0 ± 0.25V

Test

Limits

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Units

µA

Max

±10

0.8

Input Load Current

V_IN= V_IL, V_IH

Input Low Level

-0.6

2.0

Input High Level

V_CC+ 0.5

0.4

Output Low Voltage

Output High Voltage

V_CCSupply Current (Program and Verify)

V_PPCurrent

I_OL= 2.1 mA

I_OH= -400 µA

2.4

CC2

PP2

CE = V_IL

A9 Product Identification Voltage

11.5

12.5

3-9

1...4 5 678 9

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