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ASI10569

更新时间： 2025-08-19 22:47:55

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ASI		晶体晶体管射频
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1页	21K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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ASI10569 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	10 A	基于收集器的最大容量：	80 pF
集电极-发射极最大电压：	35 V	配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	O-CRFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON

ASI10569 数据手册

AVF100

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

PACKAGE STYLE .250 2L FLG (B)

DESCRIPTION:

.100 X 45°

Ø D

.088 x 45°

The ASI AVF100 is Designed for

CHAMFER

FEATURES:

· Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

.095 / 2.41

1.050 / 26.67

.245 / 6.22

.105 / 2.67

10 A

60 V

I_C

.255 / 6.48

.140 / 3.56

.572 / 14.53

.810 / 20.57

.285 / 7.24

.007 / 0.18

.072 / 1.83

.130 / 3.30

.210 / 5.33

V_CB

V_CE

P_DISS

T_J

.120 / 3.05

.552 / 14.02

.790 / 20.07

35 V

140 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

35 ^OC/W

.003 / 0.08

.052 / 1.32

.120 / 3.05

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10569

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 50 mA

I_E= 10 mA

V_E= 28 V

BV_CER

BV_EBO

I_CES

R_BE= 10 W

4.0

---

h_FE

V_CE= 5.0 V

I_C= 1.0 A

100

C_ob

V_CB= 28 V

f = 1.0 MHz

P_G

h_C

V_CC= 40 V P_OUT= 100 W

f = 1030 - 1090 MHz

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

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