ASI10570

更新时间： 2024-01-20 09:14:13

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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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ASI10570 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CXFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.65	最大集电极电流 (IC)：	11 A
配置：	SINGLE	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	O-CXFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	250 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	UNSPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ASI10570 数据手册

AVF150

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

PACKAGE STYLE .250 2L FLG (B)

.100 X 45°

DESCRIPTION:

Ø D

.088 x 45°

CHAMFER

The ASI AVF150 is Designed for

FEATURES:

· Omnigold™ Metalization System

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

MAXIMUM RATINGS

.095 / 2.41

1.050 / 26.67

.245 / 6.22

.105 / 2.67

11 A

I_C

.255 / 6.48

.140 / 3.56

.572 / 14.53

.810 / 20.57

.285 / 7.24

.007 / 0.18

.072 / 1.83

.130 / 3.30

.210 / 5.33

.120 / 3.05

55 V

.552 / 14.02

.790 / 20.07

V_CC

P_DISS

T_J

400 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +250 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

0.6 ^OC/W

.003 / 0.08

.052 / 1.32

.120 / 3.05

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10570

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 10 mA

I_C= 15 mA

I_E= 1.0 mA

V_CE= 50 V

V_CE= 5.0 V

BV_CER

BV_EBO

I_CES

R_BE= 10 W

3.5

12.5

120

---

h_FE

I_C= 1.0 A

8.5

P_G

V_CC= 43 V

MHz

P_OUT= 150 W

f = 1030 - 1090

h_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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