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AS8SLC512K32Q-12L/883C PDF预览

AS8SLC512K32Q-12L/883C

更新时间： 2024-02-26 03:35:53
品牌 Logo 应用领域
MICROSS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 186K
描述
SRAM Module, 512KX32, 12ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68

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AS8SLC512K32Q-12L/883C 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：QFP
包装说明：QFP, QFP68,.99SQ,50针数：68
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.54
最长访问时间：12 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：S-CQFP-G68JESD-609代码：e0
长度：22.352 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：SRAM MODULE内存宽度：32
功能数量：1端子数量：68
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：512KX32
输出特性：3-STATE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：QFP封装等效代码：QFP68,.99SQ,50
封装形状：SQUARE封装形式：FLATPACK
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：MIL-STD-883 Class C座面最大高度：4.9784 mm
最大待机电流：0.036 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.24 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：22.352 mm
Base Number Matches：1

AS8SLC512K32Q-12L/883C 数据手册

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SRAM  
AS8SLC512K32  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS*  
This is a stress rating only and functional operation on the  
device at these or any other conditions above those indicated  
in the operational sections of this specification is not implied.  
Exposure to absolute maximum rating conditions for extended  
periods may affect reliability.  
**Junction temperature depends upon package type, cycle  
time, loading, ambient temperature and airflow. See the Ap-  
plication Information section at the end of this datasheet for  
more information.  
Voltage of Vcc Supply Relative to Vss...........-0.5V to +4.6V  
Storage Temperature.....................................-65°C to +150°C  
Short Circuit Output Current(per I/O)............................20mA  
Voltage on Any Pin Relative to Vss............-.5V to Vcc+4.6V  
Maximum Junction Temperature**.............................+150°C  
*Stresses greater than those listed under “Absolute Maximum  
Ratings” may cause permanent damage to the device.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS  
(-55oC < TA < 125oC and -40oC to +85oC; Vcc = 3.3V ±0.3V)  
DESCRIPTION  
CONDITIONS  
SYMBOL MIN  
MAX UNITS NOTES  
Input High (logic 1) Voltage  
2.2  
-0.3  
-10  
-10  
V
V
1
1
VIH  
VIL  
ILI1  
ILI2  
V
CC+0.3  
Input Low (logic 1) Voltage  
Input Leakage CurrentADD,OE  
Input Leakage CurrentWE,CE  
0.8  
10  
μA  
μA  
0V<VIN<VCC  
10  
Output(s) Disabled  
0V<VOUT<VCC  
-10  
2.4  
10  
μA  
Output Leakage CurrentI/O  
ILO  
Output High Voltage  
Output Low Voltage  
V
V
1
1
I
OH=-4.0mA  
VOH  
VOL  
0.5  
IOL=8.0mA  
MAX  
-15  
DESCRIPTION  
CONDITIONS  
SYMBOL -10  
-12  
-17  
-20 UNITS NOTES  
CS\<VIL; VCC = MAX  
f = MAX = 1/ tRC (MIN)  
Outputs Open, OE\ = VIH  
High Speed  
Power Supply  
Current: Operating  
350  
320  
280  
260  
240  
mA 2, 3,13  
ICC1  
Low Power (L)  
280  
240  
---  
200  
---  
180  
---  
160  
---  
CS\<VIL; VCC = MAX  
f = 10 MHz, OE\ = VIH  
Low Speed  
Power Supply  
Current: Operating  
---  
ICC2  
mA  
mA  
2
2
Low Power (L)  
120  
80  
---  
80  
---  
80  
---  
80  
---  
40  
CS\<VIL; VCC = MAX  
f = 1 MHz, OE\ = VIH  
Low Speed  
Power Supply  
Current: Operating  
---  
ICC3  
Low Power (L)  
CS\>VIH; VCC = MAX  
f = MAX = 1/ tRC (MIN)  
Outputs Open, OE\=VIH  
80  
40  
40  
40  
100  
80  
80  
80  
80  
Power Supply  
Current: Standby  
ISBT1  
mA  
mA  
3, 13  
Low Power (L)  
80  
60  
60  
36  
60  
60  
36  
60  
60  
36  
60  
60  
36  
VIN = VCC - 0.2V, or VSS  
+0.2V  
80  
ISBT2  
CMOS Standby  
V
CC=Max; f = 0Hz  
Low Power (L)  
50  
Micross Components reserves the right to change products or specifications without notice.  
AS8SLC512K32  
Rev. 2.6 01/10  
2
1234567...12

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